V sobotu 2. listopadu proběhla mohutná oslava naší plnoletosti !!
Multimediaexpo.cz je již 18 let na českém internetu !!

Elektronická paměť

Z Multimediaexpo.cz

Verze z 17. 5. 2014, 02:22; Student85 (diskuse | příspěvky)
(rozdíl) ← Starší verze | zobrazit aktuální verzi (rozdíl) | Novější verze → (rozdíl)
Crystal Clear help index.png   Informace uvedené v tomto článku je potřeba ověřit.
  Prosíme, pomozte vylepšit tento článek doplněním věrohodných zdrojů. 		Crystal Clear help index.png

Elektronická paměť je součástka, zařízení nebo materiál, který umožní uložit obsah informace (zápis do paměti), uchovat ji po požadovanou dobu a znovu ji získat pro další použití (čtení paměti). Informace je obvykle vyjádřena jako číselná hodnota, nebo je nositelem informace modulovaný analogový signál. Pro své vlastnosti se používá binární (dvojková) číselná soustava, která má pouze dva stavy, které se snadno realizují v elektronických obvodech. Pro uchování informace tedy stačí signál (např. elektrické napětí), který má dva rozlišitelné stavy a není třeba přesně znát velikost signálu. Základní jednotkou ukládané informace je jeden bit (binary digit), jedna dvojková číslice. Tato číslice může nabývat dvou hodnot, které nazýváme „logická nula“ a „logická jednička“. Logická hodnota bitu může být reprezentována různými fyzikálními veličinami:

  • přítomnost nebo velikost elektrického náboje
  • stav elektrického obvodu (otevřený tranzistor)
  • směr nebo přítomnost magnetického toku (pro kódování informace do mag. toku se častěji používají složitější modulace)
  • různá propustnost nebo odrazivost světla (CD-ROM, ale i děrný štítek)

Pro správnou funkci paměti je třeba řešit kromě vlastního principu uchování informace také lokalizaci uložených dat. Mluvíme o adrese paměťového místa, kde adresa je obvykle opět číselně vyjádřena.

Obsah

Typy pamětí a jejich členění

Paměti můžeme dělit z různých hledisek podle vlastností, materiálu, rychlosti a podobně.

Podle materiálu a fyzikálních principů

  • magnetická paměť – založené na magnetických vlastnostech materiálu, informaci uchovává směr magnetizace.
  • polovodičová paměť – využívá vlastností polovodičových tranzistorů, buď se realizují klopnými obvody (technologie TTL), nebo obnovováním elektrického náboje (CMOS)
  • optická paměť – využívá optických vlastností materiálu, např. odraz světla.
  • magnetooptická paměť – pomocí světla (laser) se mění magnetické vlastnosti materiálu
  • feritová paměť – jako nosič jednoho bitu je používáno feritové jádro o rozměru cca 0,8 mm, magnetická orientace se překlápí proudovým impulsem (zastaralé)
  • paměť se zpožďovací linkou – využívá pomalejšího průchodu vlny speciálním prostředím

Režim činnosti polovodičových pamětí

  • dynamické – informace se musí periodicky obnovovat cyklem čtení, náročnější na řídící logiku
  • statické – informace zůstává uchována i bez obnovování, mají vyšší cenu za bit

Podle závislosti na napájení

  • napěťově závislé (volatilní) – pro uchování a přístup k informacím potřebuje paměť napájecí napětí, při odpojení se informace ztrácí
  • napěťově nezávislé (nevolatilní) – potřebuje napájení pro činnost (čtení, zápis), ale při odpojení napájení se informace uchová

Podle přístupu

  • RAM (Random Access Memory) – s libovolným přístupem, doba přístupu k obsahu není závislá na umístění (adrese). Počítačové disky jsou považovány za paměti typu RAM, i když to není přesné.
  • sekvenční – doba přístupu k obsahu je závislá na umístění, například páska
  • asociativní – adresovaná obsahem, adresou je klíčová hodnota ukládaná s informací
  • sériový – například fronta FIFO

Podle schopnosti zápisu

  • RWM (Read Write Memory) – Paměť pro zápis i čtení (Termín RAM obvykle označuje tento typ paměti - název RWM se neuchytil).
  • ROM (Read Only Memory) – Paměť pouze pro čtení. Informace je do paměti uložena jednorázově při výrobním procesu.
  • PROM (Programmable Read Only Memory) – Paměť se vyrobí bez informace a pomocí speciálního zařízení (programátor) si ji naprogramuje uživatel.
  • EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) – Paměť je možné vymazat speciálním způsobem (např. ultrafialovým zářením) a znovu přeprogramovat.
  • WMM (Write Mostly Memory), někdy uváděna jako WOM (Write Only Memory) – Při provozu je používána jen pro zápis, informace je čtena jednorázově na konci provozního cyklu. Mívá speciální využití (černá skříňka).
  • WOM (Write Only Memory) – Nerealizované nesmyslné zařízení, jež se stalo součástí inženýrského folklóru.
  • EEPROM (E2PROM) (Electric Erasable PROM) – Obdoba EPROM, mazání však probíhá pomocí elektrického „impulsu,“ maže se buňka po buňce. Počet zápisů je omezen – cca 100 000 přepisů.
  • Flash EPROM (Paměť EPROM s rychlým mazáním) – Obdoba EEPROM, mazání však probíhá po blocích buněk. Lze ji smazat pouze celou (1ms) nebo po částech – ne po jednotlivých buňkách. Má výrazně omezený počet zápisů - cca 1000

Všechny paměti xROM jsou statické a Non-Volatile – jednou zapsaná informace zůstává trvale uložena. Volatilita je schopnost paměťové buňky udržet si informaci i bez napájení.

Podle určení

  • Vnitřní paměť (primární)
    • Akumulátor
      • registr v procesoru o velikosti délky slova CPU (8, 16, 32, 64 bitů)
      • může být rychlejší než ostatní registry (kratší kód instrukcí)
      • s akumulátorem pracuje většina instrukcí (aritmetické a logické operace)
    • Registry procesoru
      • několik (až desítky) registrů
      • součást procesoru
      • ukládání operandů a výsledků aritmetických a logických operací
      • nejrychlejší paměť připojená k procesoru (stejně rychlá, jako procesor)
    • Cache
      • pro urychlení komunikace s pamětí
      • rychlá statická paměť
      • u novějších procesorů velikost stovky kB az MB
      • více úrovní, přičemž číslo určuje vzdálenost od procesoru
        • L1 – typicky přímo na procesoru
        • L2 – například na destičce s procesorem (tzv. boxované procesory)
        • L3 – na základní desce
      • write through – data se zapisují ihned (čeká se na dokončení zápisu)
      • write back – data se zapisují později (na dokončení zápisu se nečeká)
    • Operační paměť RAM
      • pomalejší než procesor, rychlejší než vnější paměti
      • velikost desítky až stovky MB (až GB)
      • u Von Neumannova schéma počítače použita pro program i pro data
      • typicky dynamická paměť
  • Vnější paměť
    • Sekundární paměti
      • Pevný disk
      • je na nich systém souborů (struktura adresářů)
      • obsahuje obvykle statickou nebo dynamickou cache pro urychlení čtení/zápisu
    • Terciární paměti
      • zařízení k zálohování dat
      • CD a DVD, Optické disky, …

Podle provedení

Podle rychlosti a ceny za bit

  • Paměti s nejrychlejším přístupem jsou polovodičové paměti, které jsou součástí procesorů, nebo používané pro cache procesorů. Obvykle mají menší kapacitu než operační paměť. Maji nejvyšší cenu za bit.
  • Operační paměti jsou kompromisem mezi rychlostí, cenou a kapacitou. Dnes se používají výhradně polovodičové paměti. V minulosti se používaly i feromagnetické paměti a bubnové magnetické paměti.
  • Pro vnější paměti se používají pomalé ale laciné paměti, u kterých je možné dosahovat velké kapacity. Rozdíly mezi paměťovými periferiemi jsou v závislosti na technologii a ceně za bit značné. Používají se media od pomalé diskety s malou kapacitou až po rychlé SCSI pevné disky a disková pole s obrovským paměťovým prostorem. Tato datová média jsou obvykle s magnetickým nebo optickým záznamem informace, v poslední době se začínají prosazovat i polovodičové paměti (rok 2006, výrazně klesá cena za bit), např. flash paměť s rozhraním ATA ADM.

Související články


Citováno z „http://ww2000w.multimediaexpo.cz/mmecz/index.php/Elektronick%C3%A1_pam%C4%9B%C5%A5“