Integrovaný obvod
Z Multimediaexpo.cz
m (Nahrazení textu) |
(+ FLICKR) |
||
| (Nejsou zobrazeny 2 mezilehlé verze.) | |||
| Řádka 1: | Řádka 1: | ||
| - | [[Soubor: | + | [[Soubor:EPROM Intel C1702A.jpg|thumb|240px|Paměť [[EPROM]] o kapacitě 256 x 8 [[bit]]ů ze 70. let 20. století]] |
'''Integrovaný obvod''' (zkratka '''IO''') je moderní [[elektronika|elektronická]] [[součástka]]. Jedná se o spojení (integraci) mnoha jednoduchých elektrických součástek, které společně tvoří [[elektrický obvod]] vykonávající nějakou složitější funkci. Integrované obvody dělíme na monolitické a hybridní. V Československu se mezi profesionály i amatéry vžil zajímavý termín pro integrovaný obvod a to slovo je „šváb“. | '''Integrovaný obvod''' (zkratka '''IO''') je moderní [[elektronika|elektronická]] [[součástka]]. Jedná se o spojení (integraci) mnoha jednoduchých elektrických součástek, které společně tvoří [[elektrický obvod]] vykonávající nějakou složitější funkci. Integrované obvody dělíme na monolitické a hybridní. V Československu se mezi profesionály i amatéry vžil zajímavý termín pro integrovaný obvod a to slovo je „šváb“. | ||
'''Monolitické IO''' dnes jasně převažují. Jejich jednotlivé součástky jsou vytvořeny a vzájemně spojeny (s pomocí [[difuze]] a [[epitaxe]]) na jediné polovodičové, nejčastěji [[křemík]]ové, destičce. | '''Monolitické IO''' dnes jasně převažují. Jejich jednotlivé součástky jsou vytvořeny a vzájemně spojeny (s pomocí [[difuze]] a [[epitaxe]]) na jediné polovodičové, nejčastěji [[křemík]]ové, destičce. | ||
Na obrázku je křemíková destička paměti [[EPROM]] o kapacitě 256 x 8 bitů ze 70. let, kterou bylo možno mazat [[ultrafialové záření|ultrafialovým zářením]] (proto měla paměť průhledné okénko). Matice paměťových buněk jsou dvě obdélníkové pravidelně mřížované části v horní polovině destičky. Celkově byl tento obvod složen z necelých 5000 součástek (tranzistorů). | Na obrázku je křemíková destička paměti [[EPROM]] o kapacitě 256 x 8 bitů ze 70. let, kterou bylo možno mazat [[ultrafialové záření|ultrafialovým zářením]] (proto měla paměť průhledné okénko). Matice paměťových buněk jsou dvě obdélníkové pravidelně mřížované části v horní polovině destičky. Celkově byl tento obvod složen z necelých 5000 součástek (tranzistorů). | ||
| - | [[Soubor:Eprom-střední.jpg|thumb|Křemíková destička z paměti | + | [[Soubor:Eprom-detail.jpg|thumb|230px|Detail součástek vytvořených na křemíkové destičce s vývody zlatými drátky]] |
| + | [[Soubor:Eprom-střední.jpg|thumb|230px|Křemíková destička z paměti (předchozí obrázek)]] | ||
Pro srovnání [[procesor]] Intel Pentium 4 se skládá z cca 42 milionů tranzistorů a nejtenčí spoje na destičce jsou široké 0,18 [[Metr#Mikrometr|μm]] (lidský vlas má průměr cca 100 μm). | Pro srovnání [[procesor]] Intel Pentium 4 se skládá z cca 42 milionů tranzistorů a nejtenčí spoje na destičce jsou široké 0,18 [[Metr#Mikrometr|μm]] (lidský vlas má průměr cca 100 μm). | ||
'''Hybridní IO''' se skládají z několika součástek (zpravidla některé z nich bývají monolitické IO), které jsou přilepeny a pospojovány na malé destičce (zpravidla keramické). | '''Hybridní IO''' se skládají z několika součástek (zpravidla některé z nich bývají monolitické IO), které jsou přilepeny a pospojovány na malé destičce (zpravidla keramické). | ||
| Řádka 9: | Řádka 10: | ||
První integrovaný obvod zkonstruoval [[Jack Kilby|Jack St. Clair Kilby]] z firmy [[Texas Instruments]] již v roce [[1958]] a ve stejném roce Robert Noyce z Fairchild Semiconductor (nezávisle na něm). Kilbyho integrovaný obvod byl na destičce z [[germanium|germania]] o velikosti 11 × 1,6 mm a obsahoval jediný [[tranzistor]] s pouze několika [[pasivní součástky|pasivními součástkami]]. Svůj vynález si nechal v roce [[1964]] [[patent]]ovat pod číslem 3 138 743. V roce [[1966]] sestrojil také první kapesní [[kalkulačka|kalkulačku]] založenou na integrovaném obvodu umějícím sčítat, odčítat, násobit a dělit. V roce [[2000]] získal [[Nobelova cena|Nobelovu cenu]] za [[fyzika|fyziku]]. | První integrovaný obvod zkonstruoval [[Jack Kilby|Jack St. Clair Kilby]] z firmy [[Texas Instruments]] již v roce [[1958]] a ve stejném roce Robert Noyce z Fairchild Semiconductor (nezávisle na něm). Kilbyho integrovaný obvod byl na destičce z [[germanium|germania]] o velikosti 11 × 1,6 mm a obsahoval jediný [[tranzistor]] s pouze několika [[pasivní součástky|pasivními součástkami]]. Svůj vynález si nechal v roce [[1964]] [[patent]]ovat pod číslem 3 138 743. V roce [[1966]] sestrojil také první kapesní [[kalkulačka|kalkulačku]] založenou na integrovaném obvodu umějícím sčítat, odčítat, násobit a dělit. V roce [[2000]] získal [[Nobelova cena|Nobelovu cenu]] za [[fyzika|fyziku]]. | ||
== Výroba == | == Výroba == | ||
| + | [[Soubor:Bundesarchiv Bild 183-1988-0912-035, VEB Carl Zeiss Jena, 1-Megabit-Chip.jpg|thumb|230px|Vyleptaný křemíkový [[wafer]] (1988)]] | ||
=== Monolitické obvody === | === Monolitické obvody === | ||
| - | |||
Základem pro výrobu moderních monolitických IO je [[monokrystal]] z velmi čistého [[polovodič]]e. Monokrystal musí být velmi dokonalý, pokud možno prostý jakýchkoliv poruch v krystalové mřížce. Materiál pro [[Křemík#Výroba monokrystalického křemíku|jeho výrobu]] musí být předem velmi [[Křemík#Výroba vysoce čistého křemíku|dokonale vyčištěn]]. Čištění materiálu a tažení takového monokrystalu se provádí za vysokých teplot v ochranné atmosféře, a je proto energeticky, ale i časově velmi náročné. Náročnost procesu je tím větší, čím větší průměr má výsledný monokrystal mít. | Základem pro výrobu moderních monolitických IO je [[monokrystal]] z velmi čistého [[polovodič]]e. Monokrystal musí být velmi dokonalý, pokud možno prostý jakýchkoliv poruch v krystalové mřížce. Materiál pro [[Křemík#Výroba monokrystalického křemíku|jeho výrobu]] musí být předem velmi [[Křemík#Výroba vysoce čistého křemíku|dokonale vyčištěn]]. Čištění materiálu a tažení takového monokrystalu se provádí za vysokých teplot v ochranné atmosféře, a je proto energeticky, ale i časově velmi náročné. Náročnost procesu je tím větší, čím větší průměr má výsledný monokrystal mít. | ||
Hotový monokrystal, který má válcový či doutníkovitý tvar, se nařeže na velmi tenké plátky (anglicky chips, z toho české čipy) jménem [[wafer]]. Jejich tloušťka je v řádu desetin milimetru. Plátky se dále dokonale vyleští. | Hotový monokrystal, který má válcový či doutníkovitý tvar, se nařeže na velmi tenké plátky (anglicky chips, z toho české čipy) jménem [[wafer]]. Jejich tloušťka je v řádu desetin milimetru. Plátky se dále dokonale vyleští. | ||
| Řádka 16: | Řádka 17: | ||
Další často používanou metodou je [[iontová epitaxe]], která spočívá v přímém „nastřelování“ iontů patřičných příměsí do určených míst polovodiče. | Další často používanou metodou je [[iontová epitaxe]], která spočívá v přímém „nastřelování“ iontů patřičných příměsí do určených míst polovodiče. | ||
Po vytvoření struktury obvodu se na povrch [[vakuové napařování|vakuově napaří]] tenká vrstvička kovu (nejčastěji [[hliník]]u). Ta se poté opět za pomoci masky odleptá, takže na určených místech destičky vzniknou hliníkové kontakty. | Po vytvoření struktury obvodu se na povrch [[vakuové napařování|vakuově napaří]] tenká vrstvička kovu (nejčastěji [[hliník]]u). Ta se poté opět za pomoci masky odleptá, takže na určených místech destičky vzniknou hliníkové kontakty. | ||
| - | + | ||
| - | [[Soubor:Integrovaný-obvod-zapouzdření.jpg|thumb|Na výstřižek z plechu je přilepena křemíková destička s obvodem, je provedeno nakontaktování a celý obvod je poté zalit do plastového pouzdra.]]Celý obvod je pak zapouzdřen do (většinou plastového) pouzdra. Některé náročnější součástky (například výkonné mikroprocesory) mají ovšem pouzdra ze speciální keramické hmoty často kombinované s kovovými destičkami kvůli odvodu tepla ze součástky, jiné součástky (v minulosti třeba [[Polovodičové paměti|paměti]] EPROM, dnes například prvky [[CCD]]) mají části pouzder skleněné, takže je vidět na vlastní křemíkovou destičku. | + | Na jednom plátku je takto vytvořeno zpravidla několik řad a sloupců stejných obvodů. Ty se nejprve elektricky otestují pomocí jemných hrotů dotýkajících se vytvořených hliníkových kontaktů. Vadné součástky jsou označeny a celá destička je pak rozřezána na jednotlivé integrované obvody. U těch, které v předchozím kroku prošly testem, jsou ke kontaktům přivařeny miniaturní zlaté nebo měděné drátky, které jsou vyvedeny na vývody (nožičky) IO. |
| - | [[Soubor:Integrovaný-obvod-asfalt-.jpg|thumb|Integrovaný obvod pouze zakápnutý pryskyřicí v digitálních hodinkách]]V některých masově vyráběných produktech [[spotřební elektronika|spotřební elektroniky]] se z důvodů snížení ceny a miniaturizace lepí křemíkové destičky obvodů bez pouzdra přímo na [[deska plošných spojů|desku s plošnými spoji]]. Po připojení kontaktů jsou pouze zakápnuty vytvrditelnou [[pryskyřice|pryskyřicí]]. | + | [[Soubor:Integrovaný-obvod-zapouzdření.jpg|thumb|230px|Na výstřižek z plechu je přilepena křemíková destička s obvodem, je provedeno nakontaktování a celý obvod je poté zalit do plastového pouzdra.]]Celý obvod je pak zapouzdřen do (většinou plastového) pouzdra. Některé náročnější součástky (například výkonné mikroprocesory) mají ovšem pouzdra ze speciální keramické hmoty často kombinované s kovovými destičkami kvůli odvodu tepla ze součástky, jiné součástky (v minulosti třeba [[Polovodičové paměti|paměti]] EPROM, dnes například prvky [[CCD]]) mají části pouzder skleněné, takže je vidět na vlastní křemíkovou destičku. |
| + | [[Soubor:Integrovaný-obvod-asfalt-.jpg|thumb|230px|Integrovaný obvod pouze zakápnutý pryskyřicí v digitálních hodinkách]]V některých masově vyráběných produktech [[spotřební elektronika|spotřební elektroniky]] se z důvodů snížení ceny a miniaturizace lepí křemíkové destičky obvodů bez pouzdra přímo na [[deska plošných spojů|desku s plošnými spoji]]. Po připojení kontaktů jsou pouze zakápnuty vytvrditelnou [[pryskyřice|pryskyřicí]]. | ||
=== Hybridní integrované obvody === | === Hybridní integrované obvody === | ||
Hybridní integrované obvody se zpravidla skládají z tenké keramické destičky, na kterou jsou metodou [[sítotisk]]u naneseny vodivé spoje, [[rezistor]]y a přilepeny křemíkové destičky s diskrétními polovodičovými součástkami nebo jednoduššími monolitickými integrovanými obvody. Případně mohou být na tutéž destičku přilepeny i další součástky jako například [[kondenzátor]]y nebo [[cívka|cívky]]. Hodnoty odporu rezistorů lze na destičkách hybridních obvodů případně pomocí [[laser]]u velmi přesně doladit. | Hybridní integrované obvody se zpravidla skládají z tenké keramické destičky, na kterou jsou metodou [[sítotisk]]u naneseny vodivé spoje, [[rezistor]]y a přilepeny křemíkové destičky s diskrétními polovodičovými součástkami nebo jednoduššími monolitickými integrovanými obvody. Případně mohou být na tutéž destičku přilepeny i další součástky jako například [[kondenzátor]]y nebo [[cívka|cívky]]. Hodnoty odporu rezistorů lze na destičkách hybridních obvodů případně pomocí [[laser]]u velmi přesně doladit. | ||
| - | [[Soubor:Hybrid-hranatý.jpg|thumb|Destička se součástkami a podobný hotový hybridní integrovaný obvod v plastovém pouzdře]]Poté se provede kontaktování polovodičových součástek běžným způsobem a obvod je uzavřen do kovového nebo plastového pouzdra. | + | [[Soubor:Hybrid-hranatý.jpg|thumb|230px|Destička se součástkami a podobný hotový hybridní integrovaný obvod v plastovém pouzdře]] |
| + | Poté se provede kontaktování polovodičových součástek běžným způsobem a obvod je uzavřen do kovového nebo plastového pouzdra. | ||
=== Pouzdra integrovaných obvodů === | === Pouzdra integrovaných obvodů === | ||
Mezi nejčastěji používaná pouzdra integrovaných obvodů se řadí: | Mezi nejčastěji používaná pouzdra integrovaných obvodů se řadí: | ||
| Řádka 44: | Řádka 47: | ||
== Teplotní rozsah (temperature range) == | == Teplotní rozsah (temperature range) == | ||
Pro praktické použití je jedním z nejdůležitějších parametrů integrovaných obvodů jejich teplotní specifikace. Běžně se používá následující specifikace: | Pro praktické použití je jedním z nejdůležitějších parametrů integrovaných obvodů jejich teplotní specifikace. Běžně se používá následující specifikace: | ||
| - | * commercial | + | * commercial – komerční teplotní rozsah: 0 až +70 °C |
| - | * industry | + | * industry – průmyslový teplotní rozsah: -40 až +85 °C |
| - | * extended/military | + | * extended/military – rozšířený/vojenský teplotní rozsah: -40 až +125 °C |
| - | * automotive | + | * automotive – automobilový teplotní rozsah: -55 až +125 °C |
Teplotní rozsah zaručuje, že pokud je na povrchu součástky teplota v daných mezích, je tato součástka schopna správně fungovat. Je potřeba si uvědomit, že součástka je v provozu sama zdrojem [[teplo|tepla]] a zaručit na jejím povrchu určitou teplotu nemusí být snadné. I když se může zdát, že 70 °C je poměrně vysoká [[teplota]], uvnitř vypnutého přístroje ponechaného v létě na zadním skle automobilu může být i 55 °C. Přitom výkonové součástky se mohou při provozu běžně ohřívat o 40 °C. Naopak, v zimě nemusí jít spotřebiče poskládané z běžných "komerčních" součástek zapnout, nebo se může snižovat jejich životnost. | Teplotní rozsah zaručuje, že pokud je na povrchu součástky teplota v daných mezích, je tato součástka schopna správně fungovat. Je potřeba si uvědomit, že součástka je v provozu sama zdrojem [[teplo|tepla]] a zaručit na jejím povrchu určitou teplotu nemusí být snadné. I když se může zdát, že 70 °C je poměrně vysoká [[teplota]], uvnitř vypnutého přístroje ponechaného v létě na zadním skle automobilu může být i 55 °C. Přitom výkonové součástky se mohou při provozu běžně ohřívat o 40 °C. Naopak, v zimě nemusí jít spotřebiče poskládané z běžných "komerčních" součástek zapnout, nebo se může snižovat jejich životnost. | ||
Při ohřevu součástky hraje důležitou roli tzv. [[tepelný odpor]] mezi čipem a pouzdrem a dále mezi pouzdrem a okolím. Udává se ve °C na Watt, určuje rozdíl teploty vyvolaný daným ztrátovým výkonem. Základním pravidlem zde je, že teplota křemíkového čipu nesmí překročit +140 °C až +150 °C. Maximální teplota okolí proto bývá zvláště u výkonových součástek podstatně nižší než teoretická katalogová hodnota. U hodně zatížených součástek (procesor, výkonové zesilovače ap.) se proto používají [[chladič]]e, které zlepšují odvod tepla z povrchu součástky do okolí (snižují tepelný odpor mezi pouzdrem a okolím). | Při ohřevu součástky hraje důležitou roli tzv. [[tepelný odpor]] mezi čipem a pouzdrem a dále mezi pouzdrem a okolím. Udává se ve °C na Watt, určuje rozdíl teploty vyvolaný daným ztrátovým výkonem. Základním pravidlem zde je, že teplota křemíkového čipu nesmí překročit +140 °C až +150 °C. Maximální teplota okolí proto bývá zvláště u výkonových součástek podstatně nižší než teoretická katalogová hodnota. U hodně zatížených součástek (procesor, výkonové zesilovače ap.) se proto používají [[chladič]]e, které zlepšují odvod tepla z povrchu součástky do okolí (snižují tepelný odpor mezi pouzdrem a okolím). | ||
| Řádka 63: | Řádka 66: | ||
Integrované obvody se využívají ve veškeré spotřební elektronice, ale i různých vědeckých zařízeních, např. na [[Umělá družice|umělých družicích]]. Některá zařízení obsahující integrované obvody: | Integrované obvody se využívají ve veškeré spotřební elektronice, ale i různých vědeckých zařízeních, např. na [[Umělá družice|umělých družicích]]. Některá zařízení obsahující integrované obvody: | ||
* [[Televizor|televize]], videa, satelitní přijímače, dálková ovládání, | * [[Televizor|televize]], videa, satelitní přijímače, dálková ovládání, | ||
| - | * [[ | + | * [[Rozhlas|Rádia]], CD nebo MP3 a MP4 přehrávače, |
* digitální hodinky, kalkulačky, | * digitální hodinky, kalkulačky, | ||
* [[mobilní telefon]]y, vysílačky, GPS přijímače, | * [[mobilní telefon]]y, vysílačky, GPS přijímače, | ||
* fotoaparáty, digitální fotoaparáty, | * fotoaparáty, digitální fotoaparáty, | ||
| - | * [[počítač]]e, tiskárny, monitory | + | * [[počítač]]e, tiskárny, monitory a [[Personal Digital Assistant|PDA]], |
* [[automobil]]y, [[letadlo|letadla]] a další dopravní prostředky, | * [[automobil]]y, [[letadlo|letadla]] a další dopravní prostředky, | ||
* lékařské, vědecké a měřicí přístroje. | * lékařské, vědecké a měřicí přístroje. | ||
| Řádka 75: | Řádka 78: | ||
* [[Dioda]] | * [[Dioda]] | ||
* [[Mooreův zákon]] | * [[Mooreův zákon]] | ||
| + | == Externí odkazy == | ||
| - | {{Článek z Wikipedie}} | + | {{Flickr|Integrated+circuits}}{{Commonscat|Integrated circuits}}{{Článek z Wikipedie}} |
[[Kategorie:Integrované obvody]] | [[Kategorie:Integrované obvody]] | ||
Aktuální verze z 13. 1. 2025, 22:53
Integrovaný obvod (zkratka IO) je moderní elektronická součástka. Jedná se o spojení (integraci) mnoha jednoduchých elektrických součástek, které společně tvoří elektrický obvod vykonávající nějakou složitější funkci. Integrované obvody dělíme na monolitické a hybridní. V Československu se mezi profesionály i amatéry vžil zajímavý termín pro integrovaný obvod a to slovo je „šváb“. Monolitické IO dnes jasně převažují. Jejich jednotlivé součástky jsou vytvořeny a vzájemně spojeny (s pomocí difuze a epitaxe) na jediné polovodičové, nejčastěji křemíkové, destičce. Na obrázku je křemíková destička paměti EPROM o kapacitě 256 x 8 bitů ze 70. let, kterou bylo možno mazat ultrafialovým zářením (proto měla paměť průhledné okénko). Matice paměťových buněk jsou dvě obdélníkové pravidelně mřížované části v horní polovině destičky. Celkově byl tento obvod složen z necelých 5000 součástek (tranzistorů).
Pro srovnání procesor Intel Pentium 4 se skládá z cca 42 milionů tranzistorů a nejtenčí spoje na destičce jsou široké 0,18 μm (lidský vlas má průměr cca 100 μm). Hybridní IO se skládají z několika součástek (zpravidla některé z nich bývají monolitické IO), které jsou přilepeny a pospojovány na malé destičce (zpravidla keramické).
Obsah |
Historie
První integrovaný obvod zkonstruoval Jack St. Clair Kilby z firmy Texas Instruments již v roce 1958 a ve stejném roce Robert Noyce z Fairchild Semiconductor (nezávisle na něm). Kilbyho integrovaný obvod byl na destičce z germania o velikosti 11 × 1,6 mm a obsahoval jediný tranzistor s pouze několika pasivními součástkami. Svůj vynález si nechal v roce 1964 patentovat pod číslem 3 138 743. V roce 1966 sestrojil také první kapesní kalkulačku založenou na integrovaném obvodu umějícím sčítat, odčítat, násobit a dělit. V roce 2000 získal Nobelovu cenu za fyziku.
Výroba
Monolitické obvody
Základem pro výrobu moderních monolitických IO je monokrystal z velmi čistého polovodiče. Monokrystal musí být velmi dokonalý, pokud možno prostý jakýchkoliv poruch v krystalové mřížce. Materiál pro jeho výrobu musí být předem velmi dokonale vyčištěn. Čištění materiálu a tažení takového monokrystalu se provádí za vysokých teplot v ochranné atmosféře, a je proto energeticky, ale i časově velmi náročné. Náročnost procesu je tím větší, čím větší průměr má výsledný monokrystal mít. Hotový monokrystal, který má válcový či doutníkovitý tvar, se nařeže na velmi tenké plátky (anglicky chips, z toho české čipy) jménem wafer. Jejich tloušťka je v řádu desetin milimetru. Plátky se dále dokonale vyleští. Na připravených plátcích se pak vytvářejí důmyslnými postupy miniaturní masky a na nezamaskovaná místa se difuzí přidávají různé příměsi, které v daných místech přetvářejí základní polovodičový materiál na materiál typu P nebo N, takže vznikají tzv. PN přechody. Další často používanou metodou je iontová epitaxe, která spočívá v přímém „nastřelování“ iontů patřičných příměsí do určených míst polovodiče. Po vytvoření struktury obvodu se na povrch vakuově napaří tenká vrstvička kovu (nejčastěji hliníku). Ta se poté opět za pomoci masky odleptá, takže na určených místech destičky vzniknou hliníkové kontakty.
Na jednom plátku je takto vytvořeno zpravidla několik řad a sloupců stejných obvodů. Ty se nejprve elektricky otestují pomocí jemných hrotů dotýkajících se vytvořených hliníkových kontaktů. Vadné součástky jsou označeny a celá destička je pak rozřezána na jednotlivé integrované obvody. U těch, které v předchozím kroku prošly testem, jsou ke kontaktům přivařeny miniaturní zlaté nebo měděné drátky, které jsou vyvedeny na vývody (nožičky) IO.
Hybridní integrované obvody
Hybridní integrované obvody se zpravidla skládají z tenké keramické destičky, na kterou jsou metodou sítotisku naneseny vodivé spoje, rezistory a přilepeny křemíkové destičky s diskrétními polovodičovými součástkami nebo jednoduššími monolitickými integrovanými obvody. Případně mohou být na tutéž destičku přilepeny i další součástky jako například kondenzátory nebo cívky. Hodnoty odporu rezistorů lze na destičkách hybridních obvodů případně pomocí laseru velmi přesně doladit.
Poté se provede kontaktování polovodičových součástek běžným způsobem a obvod je uzavřen do kovového nebo plastového pouzdra.
Pouzdra integrovaných obvodů
Mezi nejčastěji používaná pouzdra integrovaných obvodů se řadí:
- Dual in-line package DIL
- Pin grid array (PGA)
- Land grid array (LGA)
- Quad flat pack (QFP: TQFP, MQFP, PQFP)
- MLF / QFN (Quad flat network)
- Small-outline integrated circuit (SOIC, SO)
- Ball grid array (BGA)
Rozdělení integrovaných obvodů
Vedle dělení na monolitické a hybridní existuje celá řada dalších kritérií, podle kterých je lze IO dělit. Patří mezi ně například:
- analogové nebo číslicové obvody
- stupeň integrace
- SSI – malá integrace (anglicky Small Scale Integration)
- MSI – střední integrace (anglicky Middle Scale Integration)
- LSI – vysoká integrace (anglicky Large Scale Integration)
- VLSI – velmi vysoká integrace (anglicky Very Large Scale Integration), někdy také XLSI (anglicky eXtra Large Scale Integration)
- unipolární a bipolární obvody
- programovatelné a neprogramovatelné obvody
- sériově a zakázkově vyráběné obvody
Teplotní rozsah (temperature range)
Pro praktické použití je jedním z nejdůležitějších parametrů integrovaných obvodů jejich teplotní specifikace. Běžně se používá následující specifikace:
- commercial – komerční teplotní rozsah: 0 až +70 °C
- industry – průmyslový teplotní rozsah: -40 až +85 °C
- extended/military – rozšířený/vojenský teplotní rozsah: -40 až +125 °C
- automotive – automobilový teplotní rozsah: -55 až +125 °C
Teplotní rozsah zaručuje, že pokud je na povrchu součástky teplota v daných mezích, je tato součástka schopna správně fungovat. Je potřeba si uvědomit, že součástka je v provozu sama zdrojem tepla a zaručit na jejím povrchu určitou teplotu nemusí být snadné. I když se může zdát, že 70 °C je poměrně vysoká teplota, uvnitř vypnutého přístroje ponechaného v létě na zadním skle automobilu může být i 55 °C. Přitom výkonové součástky se mohou při provozu běžně ohřívat o 40 °C. Naopak, v zimě nemusí jít spotřebiče poskládané z běžných "komerčních" součástek zapnout, nebo se může snižovat jejich životnost. Při ohřevu součástky hraje důležitou roli tzv. tepelný odpor mezi čipem a pouzdrem a dále mezi pouzdrem a okolím. Udává se ve °C na Watt, určuje rozdíl teploty vyvolaný daným ztrátovým výkonem. Základním pravidlem zde je, že teplota křemíkového čipu nesmí překročit +140 °C až +150 °C. Maximální teplota okolí proto bývá zvláště u výkonových součástek podstatně nižší než teoretická katalogová hodnota. U hodně zatížených součástek (procesor, výkonové zesilovače ap.) se proto používají chladiče, které zlepšují odvod tepla z povrchu součástky do okolí (snižují tepelný odpor mezi pouzdrem a okolím).
Výhody a užití integrovaných obvodů
Výhody
Mezi hlavní výhody integrovaných obvodů patří zejména:
- miniaturizace,
- stále se zvyšující výkon,
- nižší energetické nároky na provoz,
- spolehlivost,
- hromadná sériová výroba snižuje cenu.
Veškeré tyto výhody se zvětšují s vzrůstající miniaturizací a zvyšováním komplexnosti obvodů.
Užití
Integrované obvody se využívají ve veškeré spotřební elektronice, ale i různých vědeckých zařízeních, např. na umělých družicích. Některá zařízení obsahující integrované obvody:
- televize, videa, satelitní přijímače, dálková ovládání,
- Rádia, CD nebo MP3 a MP4 přehrávače,
- digitální hodinky, kalkulačky,
- mobilní telefony, vysílačky, GPS přijímače,
- fotoaparáty, digitální fotoaparáty,
- počítače, tiskárny, monitory a PDA,
- automobily, letadla a další dopravní prostředky,
- lékařské, vědecké a měřicí přístroje.
Související články
Externí odkazy
|
|
| Náklady na energie a provoz naší encyklopedie prudce vzrostly. Potřebujeme vaši podporu... Kolik ?? To je na Vás. Náš FIO účet — 2500575897 / 2010 |
|---|
| Informace o článku.
Článek je převzat z Wikipedie, otevřené encyklopedie, do které přispívají dobrovolníci z celého světa. |